エルピーダ、64MbitのReRAMの開発に成功

by くまさん · 公開済み 2012/1/24 火曜日 · 更新済み 2012/1/24 火曜日

関連記事

• M.2 SSDを追加購入したべ．ついにハードディスクとお別れじゃげ 【2023年11月09日（木）】
• 本格的なPCIe 5.0 SSDの普及到来か　Crucial「T700」デビュー 【2023年06月12日（月）】
• 【#SSD】NVMe SSD 2TBが9,980円、960GBが4,980円など記録的安値(23/4/28) 【2023年04月28日（金）】
• SSDが届いたずら 【2021年08月27日（金）】
• ウエスタンデジタルとキオクシア、合併協議に進展 【2021年08月26日（木）】

こりゃまた，面白そうなメモリデバイスが出てくるなぁ
しかも，超高速，低消費電力，高寿命と来たもんだ！

フラッシュメモリと肩を並べる容量になったら
あっというまに，フラッシュを駆逐するじゃろうなぁ

なんせ，フラッシュは，低寿命やし，遅いしで（汗

１セルで多値保存ができるみたいなんで
あっというまに，SSDの中核メモリになりそうな予感


ハードディスクがますますもって，肩身が狭くなりそうじゃじぃ．．．（汗

とりあえず，フラッシュメモリ版でいいんでSSDが欲しいゾォ～
SSDで，C++のコンパイルやったら，すごい速度で成果物を作っていく予感

うちにあるZENBOOKさまで，その速度は体感済みじゃしのぉ

エルピーダ、64MbitのReRAMの開発に成功 ～シャープ、東大、産総研との共同開発 エルピーダメモリ株式会社は24日、次世代メモリ「ReRAM」(高速不揮発性抵抗変化型メモリ)の開発に成功したと発表した。 　NEDOとの共同研究事業、およびシャープ、独立行政法人産業技術総合研究所、東京大学との共同実施として開発しているもので、今回50nmプロセスを用い、世界最高レベルとなる64Mbitのメモリセルアレイの動作を確認した。 　ReRAMは、電圧を加えることで抵抗値が変化する材料を素子とする次世代半導体メモリ。不揮発性でありながら、書き換え速度が10nsとDRAM並みで、書き換え回数はNANDフラッシュの10倍以上となる100万回以上を実現している。また、消費電力も少ない。 　今後、2013年には30nmプロセスでギガビット級の量産を目指す。

PC　WATCH

シェアする

タグ: SSDフラッシュメモリ

くまさん

神社，ダムと温泉好きな「システムアーキテクト」

おすすめ

• 0

  インテルのＳＳＤ発売開始

  2008/9/28 日曜日

   by くまさん · Published 2008/9/28 日曜日

• 0

  512GB 2.5インチSSDが発売へ

  2010/9/12 日曜日

   by くまさん · Published 2010/9/12 日曜日

• 0

  SDメモリ等の値段が来月にかけて，上がりそう

  2010/12/19 日曜日

   by くまさん · Published 2010/12/19 日曜日