フラッシュメモリがさらに強力に?
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強誘電体NANDフラッシュメモリーで書き換え回数従来比1万倍を実証
(前略) 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】(以下「産総研」という)エレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】フロンティアデバイスグループ 酒井 滋樹 研究グループ長らは、国立大学法人 東京大学(以下「東京大学」という)大学院 工学系研究科 竹内 健 准教授と共同で、強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)をメモリーセルとして用いるとNANDフラッシュメモリーの性能が著しく向上することを実証した。セルレベルで、従来型のNANDフラッシュメモリーのメモリーセルの書き換え回数が1万回、書き込み電圧が20Vなのに対して今回作製したメモリーセルの書き換え回数は1億回以上、書き込み電圧は6V以下である。従来のNANDフラッシュメモリーの微細化の限界は30nm程度といわれているが、今回作製したメモリーセルの技術を強誘電体NANDフラッシュメモリーに応用することにより、将来の20nm、10nm技術世代にも対応できるため、次世代高密度大容量不揮発メモリーとして期待される。 (後略) |
産総研プレスリリース |
1万回ぐらい書き込みやったら,壊れて使えなくなるってのが,これで解消される??
今のUSBメモリとか,SDカードとか,
フラッシュメモリそのものなんで,特定のメモリブロックに書き込みが集中しないよう
メモリ全体均一に,書いたり消したりする,制御システムが入ってます
なので,USBメモリとかにデフラグとかするのは,ご法度です
一発で1万回に達して,寿命に到達の恐れがありますです
USBメモリにデフラグやって,大事なデータごと,全部吹っ飛ばした知人がおりますです
んで,今回の技術
書き込める回数が,1万回から1億回まで伸びるかも?な話
(あと,微細加工技術に目処が付いたって話もあるんで,容量アップも期待できそう)
ドカンと安くなって,SSDの価格が下がることを….
やっぱ,モバイルノートの電力消費,HDDだと,だいぶ気になりますしねぇ
SSDに変えたら,3時間が5時間ぐらいに伸びないかしら?>うちのDELLノート
あと,書き込み速度,もうちょい,欲しいがなぁ~
あ,USBメモリとかSDカードの最大の欠点,もう一つあった
小さすぎて,よく無くす(爆
コメント
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