フラッシュメモリがさらに強力に？

強誘電体NANDフラッシュメモリーで書き換え回数従来比１万倍を実証 （前略） 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）エレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】フロンティアデバイスグループ 酒井 滋樹 研究グループ長らは、国立大学法人 東京大学（以下「東京大学」という）大学院 工学系研究科 竹内 健 准教授と共同で、強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)をメモリーセルとして用いるとNANDフラッシュメモリーの性能が著しく向上することを実証した。セルレベルで、従来型のNANDフラッシュメモリーのメモリーセルの書き換え回数が1万回、書き込み電圧が20Vなのに対して今回作製したメモリーセルの書き換え回数は1億回以上、書き込み電圧は6V以下である。従来のNANDフラッシュメモリーの微細化の限界は30nm程度といわれているが、今回作製したメモリーセルの技術を強誘電体NANDフラッシュメモリーに応用することにより、将来の20nm、10nm技術世代にも対応できるため、次世代高密度大容量不揮発メモリーとして期待される。 （後略）

産総研プレスリリース

フラッシュメモリの最大の欠点
1万回ぐらい書き込みやったら，壊れて使えなくなるってのが，これで解消される？？

今のUSBメモリとか,SDカードとか,
フラッシュメモリそのものなんで，特定のメモリブロックに書き込みが集中しないよう
メモリ全体均一に，書いたり消したりする，制御システムが入ってます

なので，USBメモリとかにデフラグとかするのは，ご法度です
一発で1万回に達して，寿命に到達の恐れがありますです
USBメモリにデフラグやって，大事なデータごと，全部吹っ飛ばした知人がおりますです

んで，今回の技術
書き込める回数が，1万回から1億回まで伸びるかも？な話
（あと，微細加工技術に目処が付いたって話もあるんで,容量アップも期待できそう）

ドカンと安くなって，SSDの価格が下がることを….
やっぱ，モバイルノートの電力消費，HDDだと，だいぶ気になりますしねぇ

SSDに変えたら，3時間が5時間ぐらいに伸びないかしら？＞うちのDELLノート
あと，書き込み速度,もうちょい，欲しいがなぁ~


あ，USBメモリとかSDカードの最大の欠点，もう一つあった

小さすぎて，よく無くす（爆